在現(xiàn)代電磁學(xué)與微波工程領(lǐng)域,超表面以其獨(dú)特的電磁特性和對(duì)電磁波的靈活調(diào)控能力,成為研究熱點(diǎn)。超表面由亞波長(zhǎng)尺度的單元周期排列構(gòu)成,能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電磁波幅度、相位和極化等特性的精細(xì)控制。CST作為一款強(qiáng)大的電磁仿真軟件,為超表面的研究和設(shè)計(jì)提供了有力工具。那么,在CST中如何對(duì)有限個(gè)周期單元的超表面進(jìn)行仿真呢?這涉及到一系列關(guān)鍵步驟與設(shè)置。
一、構(gòu)建超表面的有限陣列結(jié)構(gòu)
在CST中開(kāi)展仿真工作,首先要依據(jù)原始單元結(jié)構(gòu)搭建完整的有限陣列。陣列尺寸的確定需結(jié)合實(shí)際設(shè)計(jì)需求或?qū)嶒?yàn)樣品情況,常見(jiàn)的如10×10、20×20單元等陣列規(guī)模。舉例來(lái)說(shuō),若設(shè)計(jì)一款用于天線罩的超表面,需根據(jù)天線罩尺寸及預(yù)期電磁性能,合理選擇超表面的單元數(shù)量與排列方式,構(gòu)建出對(duì)應(yīng)的有限陣列模型。在構(gòu)建過(guò)程中,要確保單元結(jié)構(gòu)的幾何尺寸、形狀以及相對(duì)位置準(zhǔn)確無(wú)誤,因?yàn)檫@些因素直接決定超表面的電磁響應(yīng)特性。
二、合理設(shè)置邊界條件與背景屬性
邊界條件設(shè)置:對(duì)于有限陣列超表面的x和y方向,應(yīng)設(shè)置為open邊界條件。這一設(shè)置意味著該方向不存在周期性,允許電磁波自由輻射發(fā)散,模擬實(shí)際應(yīng)用中有限陣列超表面周邊無(wú)周期性約束的真實(shí)場(chǎng)景。而在入射方向的z方向,則設(shè)置為open(addspace)邊界條件,目的是為吸收性邊界提供充足空間緩沖,有效防止反射波干擾,保證仿真結(jié)果的準(zhǔn)確性。例如,在模擬超表面對(duì)垂直入射電磁波的響應(yīng)時(shí),正確設(shè)置z方向的open(addspace)邊界,可使CST準(zhǔn)確模擬電磁波穿過(guò)超表面后的傳播及吸收情況。
背景屬性設(shè)置:背景設(shè)置同樣至關(guān)重要。在x和y邊界處,務(wù)必留出一定厚度的空氣層,一般建議厚度至少為0.1λ(λ為工作波長(zhǎng))。這是因?yàn)槿粑丛O(shè)置足夠空氣層,后續(xù)設(shè)置的WaveguidePort可能過(guò)于靠近邊界,引發(fā)數(shù)值誤差,導(dǎo)致仿真結(jié)果不穩(wěn)定,出現(xiàn)S參數(shù)劇烈震蕩等問(wèn)題。比如,在5GHz工作頻率下,對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)約為60mm,此時(shí)x和y邊界的空氣層厚度應(yīng)設(shè)置為至少6mm。
三、精確進(jìn)行端口設(shè)置
在超表面有限陣列結(jié)構(gòu)的正上方和正下方,需分別插入一個(gè)WaveguidePort。端口方向設(shè)定為沿Z軸傳播,其作用是模擬電磁波的入射與接收。CST軟件能夠依據(jù)WaveguidePort的設(shè)置,自動(dòng)計(jì)算超表面的S11(反射系數(shù))與S21(透射系數(shù))。以一款用于反射型超表面的仿真為例,上方的WaveguidePort發(fā)射電磁波,電磁波入射到超表面后,部分被反射,部分透過(guò)超表面,下方的WaveguidePort接收透射波,通過(guò)CST計(jì)算出的S11和S21參數(shù),可直觀了解超表面對(duì)電磁波的反射與透射特性。
四、謹(jǐn)慎選擇求解器
CST提供了多種求解器供用戶選擇,在對(duì)有限個(gè)周期單元的超表面進(jìn)行仿真時(shí),推薦使用TimeDomainSolver(時(shí)域求解器)。該求解器具有速度快的優(yōu)勢(shì),尤其適用于高頻段電磁問(wèn)題的仿真。當(dāng)然,若追求更高精度,也可選用FrequencyDomainSolver(頻域求解器),但其缺點(diǎn)是仿真耗時(shí)較長(zhǎng)。例如,在對(duì)工作頻率為10GHz以上的超表面進(jìn)行快速初步仿真時(shí),TimeDomainSolver能夠在較短時(shí)間內(nèi)給出大致結(jié)果,幫助研究人員快速評(píng)估超表面性能;而對(duì)于需要精確分析超表面在特定頻率點(diǎn)電磁響應(yīng)細(xì)節(jié)的情況,F(xiàn)requencyDomainSolver則更為合適。
五、關(guān)于入射角的設(shè)置
當(dāng)使用WaveguidePort時(shí),其默認(rèn)狀態(tài)為正入射(normalincidence)。若要模擬斜入射情況,可將整個(gè)超表面結(jié)構(gòu)繞x或y軸旋轉(zhuǎn)相應(yīng)角度。比如,若要模擬θ=30°的斜入射,可將結(jié)構(gòu)繞x軸旋轉(zhuǎn)30°。通過(guò)這種方式,能夠更全面地研究超表面在不同入射角度下的電磁性能,為實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)對(duì)復(fù)雜的電磁波入射環(huán)境提供數(shù)據(jù)支持。、
在CST中仿真有限個(gè)周期單元的超表面,需要從構(gòu)建陣列結(jié)構(gòu)、設(shè)置邊界條件與背景屬性、進(jìn)行端口設(shè)置、選擇合適求解器以及設(shè)置入射角等多個(gè)環(huán)節(jié)入手,每個(gè)環(huán)節(jié)的精確設(shè)置都對(duì)仿真結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性至關(guān)重要。通過(guò)熟練掌握這些步驟與技巧,研究人員能夠高效地利用CST軟件,深入探究有限超表面的電磁特性,為超表面在濾波器、超表面吸收器、隱身材料、天線等眾多工程領(lǐng)域的設(shè)計(jì)與應(yīng)用提供有力的理論支撐和技術(shù)保障。隨著超表面研究的不斷深入與拓展,CST仿真技術(shù)也將在其中發(fā)揮愈發(fā)關(guān)鍵的作用,助力相關(guān)領(lǐng)域取得更多創(chuàng)新性成果。
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